根據光源類型,光刻機分為:i線、krf、arf 和 euv 光刻機。光刻機的性能由分辨率、套刻精度、曝光場、吞吐量、生產力和波長等參數描述,其中波長決定了分辨率和套刻精度。
光刻機的分類
光刻機根據其光源類型可分為:
- i線光刻機:使用波長為 365 納米的 i線準分子激光作為光源。
- KrF 光刻機:使用波長為 248 納米的 KrF 準分子激光作為光源。
- ArF 光刻機:使用波長為 193 納米的 ArF 準分子激光作為光源。
- EUV 光刻機:使用波長為 13.5 納米的極紫外光 (EUV) 作為光源。
光刻機的參數
光刻機的性能由以下參數描述:
- 分辨率:刻劃在硅片上最小特征尺寸的能力,通常以納米 (nm) 為單位測量。
- 套刻精度:對齊不同光刻層的精度,通常以納米為單位測量。
- 曝光場:一次曝光中暴露的硅片面積,通常以平方毫米 (mm2) 為單位測量。
- 吞吐量:每小時可以加工的晶圓數,通常以晶圓每小時 (wph) 為單位測量。
- 生產力:吞吐量和套刻精度之間的平衡,反映了光刻機的整體效率。
- 波長:光源的波長,決定了光刻機的分辨率和套刻精度。
- 光刻膠:對光敏感的材料,用于將掩膜上的圖案轉移到硅片上。